Samsung начинает производство памяти GDDR5

Компания Samsung начинает серийный выпуск высокопроизводительной памяти GDDR5 на основе 50-нм технологического процесса.

Новая память Samsung поддерживает максимальную скорость передачи данных 7,0 Гбит/с, что позволяет создавать более реалистичную (трехмерную) графику с максимальной полосой пропускания 28 Гб/с - это более чем вдвое превышает показатель предыдущей самой быстрой модели, GDDR4 (12,8 Гб/с.).

Подобная скорость равнозначна передаче девятнадцати фильмов DVD-качества объемом по 1,5 Гб каждый за одну секунду. Благодаря сверхвысокой скорости память GDDR5 поддерживает самые современные форматы хранения данных (Blu-ray и Full HD).

В отличие от стандарта GDDR4, в котором для обработки данных и графики применяется технология синхронизации стробирующих и тактовых импульсов, значительное увеличение скорости в GDDR5 достигается благодаря использованию независимого задающего генератора, для которого не требуется синхронизация операций чтения-записи с тактовыми импульсами.

Внедрение 50-нм техпроцесса, по оценкам компании Samsung, позволит повысить эффективность производства на 100% по сравнению с 60-нм техпроцессом. Кроме того, чипы GDDR5 потребляют на 20% меньше электроэнергии, чем GDDR4.

Новые устройства предлагаются в виде модулей 32 Мбит x32, но возможна также конфигурация 64 Мбит х32. Ожидается, что доля GDDR5 на рынке графической памяти в 2009 году превысит 20%. Представители Samsung также сообщили, что компания планирует перевести все производство устройств видеопамяти на 50-нанометровый техпроцесс до конца текущего года.