Ферромагнитная память — технология будущего


Компания Texas Instruments выпустила собственный модуль ферромагнитной памяти (FRAM) объемом 64 Мбит и приняла решение использовать его в устройствах следующего поколения, в том числе и мобильных телефонах.

В основе памяти такого типа — особые кристаллы из ферромагнетика, интегрированные в конденсатор, который обеспечивает энергонезависимость. Воздействуя элекрическим полем, поляризацию кристалла можно менять и обеспечивать два стабильных состояния — логические 0 и 1. По сравнению с другими типами памяти, FRAM отличается ускоренным доступом к данным, слабым тепловыделением, меньшим размером чипов, а также является более простой в производстве. Подобные характеристики делают FRAM идеальной для встраивания непосредственно в процессоры, контроллеры и т.д.

Первые коммерческие образцы FRAM были созданы компаниями Ramtron и Fujitsu. Кроме Texas Instruments, эту память лицензировали Infineon, Fujitsu, Hitachi, Toshiba, Rohm, Samsung, Asahi Chemical и другие. Выпускаемые Texas Instruments 64-Мбитные модули FRAM производятся технологическому процессу 0,13 мкм (для сравнения — год назад существовала лишь 0,35-микронная технология).

Texas Instruments планирует использовать FRAM в оборудовании для широкополосного доступа, программируемых сигнальных процессорах и в платформе OMAP, на основе которой разрабатываются мобильные телефоны и КПК. Первые продукты с новой памятью компания собирается выпустить на рынок в начале 2005 года.